bolacha 6inch sic Epitaxial

Name: bolacha 6inch sic Epitaxial
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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GaN Epitaxial Wafer
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Bolacha sic Epitaxial
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GaAs Epi Wafer
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bolacha 6inch sic Epitaxial

Imagem Grande : bolacha 6inch sic Epitaxial

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suzhou China
Marca:	GaNova
Certificação:	UKAS/ISO9001:2015

Condições de Pagamento e Envio:

Detalhes da embalagem:	Embalagem a vácuo em um ambiente de sala limpa classe 10000, em cassetes de 25 peças ou recipientes
Tempo de entrega:	3-4 dias da semana
Termos de pagamento:	T/T

Contato

bolacha 6inch sic Epitaxial

descrição

Crystal Form:	4h	Contaminação de Superfície Metálica:	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, si, Ca, V, manganês) cm2 ≤1E11
Nome do produto:	Bolacha sic Epitaxial	Diâmetro:	150.0mm +0mm/-0.2mm
Orientação de superfície:	Fora-linha central: ° de 4°toward <11-20>±0.5	Comprimento liso preliminar:	± 1.5mm de 47.5mm
Comprimento liso secundário:	Nenhum plano secundário	Orientação lisa preliminar:	To<11-20>±1° paralelo
Misorientation ortogonal:	±5.0°
Destacar:	Bolacha sic Epitaxial de P-SBD , carcaça de 6inch 4H-SiC , N-tipo bolacha sic Epitaxial

N-tipo Fora-linha central da carcaça da categoria 6inch 4H-SiC de P-SBD: ° <11-20>de 4°toward ±0.5

N-tipo resistividade MPD≤0.5/Cm2 0.015Ω da categoria 350.0±25.0μM de P-SBD da carcaça de 6inch 4H-SiC•Cm-0.025Ω•cm para o poder e o Microw

N-tipo da carcaça de 6inch 4H-SiC

Vista geral

Nosso hava da empresa sic (uma linha de produção completa crescimento de cristal de integração, cristal que processam, bolacha que processam, lustro, limpeza e teste da carcaça da bolacha do carboneto de silicone). Hoje em dia nós fornecemos sic as bolachas 4H e 6H comerciais com semi a isolação e a condutibilidade na em-linha central ou na fora-linha central, tamanho disponível: 5x5mm2,10x10mm2, 2", 3", 4" e 6", quebrando com as tecnologias chaves tais como a supressão do defeito, o processamento do cristal de semente e o crescimento rápido, promovendo a investigação básica e o desenvolvimento relativos à epitaxia do carboneto de silicone, aos dispositivos, etc.

Propriedade	Categoria P-MOS	Categoria de P-SBD	Categoria de D
Crystal Form	4H
Polytype	Nenhuns permitiram		Area≤5%
(MPD) ^a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Encantar placas	Nenhuns permitiram		Area≤5%
Polycrystal sextavado	Nenhuns permitiram
Inclusões ^a	Area≤0.05%	Area≤0.05%	N/A
Resistividade	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) ^a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	N/A
(TED) ^a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	N/A
(BPD) ^a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	N/A
(TSD) ^a	≤600/cm2	≤1000/cm2	N/A
Falha de empilhamento	Área de ≤0.5%	Área de ≤1%	N/A
Contaminação de metal de superfície	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, si, Ca, V, manganês) ≤1E11 cm^-2
Diâmetro	150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Orientação de superfície	Fora-linha central: ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Comprimento liso preliminar	47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Comprimento liso secundário	Nenhum plano secundário
Orientação lisa preliminar	To±1° paralelo<11-20>
Orientação lisa secundária	N/A
Misorientation ortogonal	±5.0°
Revestimento de superfície	C-cara: Polonês ótico, Si-cara: CMP
Borda da bolacha	Chanfradura
Aspereza de superfície (10μm×10μm)	Cara Ra≤0.20 nanômetro do si; Cara Ra≤0.50 nanômetro de C
Espessura ^a	μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) ^a	≤2μm		≤3μm
(TTV) ^a	≤6μm		≤10μm
(CURVA) ^a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Urdidura) ^a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Microplaquetas/recortes	Nenhuns permitiram a largura e a profundidade de ≥0.5mm		Largura e profundidade de Qty.2 ≤1.0 milímetro
Riscos ^a (Cara do si, CS8520)	≤5 e diâmetro cumulativo de Length≤0.5×Wafer		≤5 e Length≤1.5×Wafer cumulativo Diâmetro
TUA (2mm*2mm)	≥98%	≥95%	N/A
Quebras	Nenhuns permitiram
Contaminação	Nenhuns permitiram
Propriedade	Categoria P-MOS	Categoria de P-SBD	Categoria de D
Exclusão da borda	3mm

Observação: a exclusão da borda de 3mm é usada para os artigos identificados por meio de ^A.

Sobre nós

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico personalizado amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica opto e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossas boas reputações.

FAQ

Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
Nós somos fábrica.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
Geralmente é 3-5 dias se os bens estão no estoque.
ou é 7-10 dias se os bens não estão no estoque, ele é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que é seus termos de pagamento?
Pagamento <> >=5000USD do pagamento, 80% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.

etiqueta:

Pessoa de Contato: Xiwen Bai (Ciel)

Telefone: +8613372109561

bolacha 6inch sic Epitaxial

GaN Epitaxial Wafer

Bolacha sic Epitaxial

GaAs Epi Wafer

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Cristal do carboneto de silicone

Bolacha Ga2O3

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Suporte da bolacha do

Máquina de cortar bolacha

Substrato 350um 4H SiC

Sic tipo carcaça de N

bolacha 6inch sic Epitaxial

bolacha 6inch sic Epitaxial

bolacha 6inch sic Epitaxial

Bolacha sic Epitaxial de P-SBD

carcaça de 6inch 4H-SiC

N-tipo bolacha sic Epitaxial

Bolachas Epitaxial do carboneto de silicone,

Tipo bolacha sic Epitaxial de N,

Cara sic Epitaxial da bolacha C

GaN Epitaxial Wafer

o Fe da cara de 2inch GaN Epitaxial Wafer C lubrificou o tipo posição livre do SI

O Fe lubrificou GaN Substrates Resistivity > 10 o ⁶ Ω·Dispositivos RF do Cm

Substratos SI-GaN autônomos de 2 polegadas

Bolacha sic Epitaxial

Biselamento SiC Epitaxial Wafer 150,0 mm +0mm/-0,2mm 350,0um± 25,0um

Chanfro de borda de wafer epitaxial de SiC em forma de cristal 4H 350,0um ± 25,0um

Da C-cara sic Epitaxial da bolacha do único cristal CMP polonês ótico da Si-cara