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SP-Face 11-12 Não dopado Tipo N GaN de stand-alone Substrato de cristal único Resistividade 0,05 Ω·cm Densidade de defeito macro 0cm−2

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JDCD10-001-002 Substratos dopados por GaAs (100) Si de 2 polegadas

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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn-Dopado Livre Ga2O3 Substrato de Cristal Único Grau de Produto Polimento Simples

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JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopado em pé livre Ga2O3 Substrato de cristal único Grau de produto Polido único

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JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-lubrificou o único Crystal Substrate Product Grade único polonês autônomo de Ga2O3

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350 ± 25 μm Espessura Substrato monocristalino GaN independente não dopado de tipo N, com TTV ≤ 10 μm e Resistividade 0,1 Ω·cm

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5*10mm2 SP-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistividade 0,05 Ω·cm

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JDCD06-001-005 Wafer de silício de 6 polegadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

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JDCD06-001-004 Wafer de silício de 5 polegadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

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10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defecto Densidade 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividade 106 Ω·Cm Dispositivos RF Wafer

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JDCD06-001-006 8-Inch Silicon Wafer Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

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JDCD06-001-007 Wafer de silício de 12 polegadas Dispositivos MEMS Circuitos integrados Substratos dedicados para dispositivos discretos

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Dispositivo de potência 5x10 mm2 Substrato de cristal único GaN de tipo N não dopado, com resistividade 0,1 Ω·cm e BOW dentro de 10 μm

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5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único GaN de tipo N sem dopagem com TTV ≤ 10μm Resistividade 0,05 Ω·cm

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5*10mm2 SP-Face 10-11 Não dopado GaN de tipo N independente Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistividade para dispositivo de potência

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Densidade de defeito macro 0cm−2 Substrato de cristal único de GaN independente do tipo SI não dopado para dispositivos RF 5*10mm2 M-Face

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TTV ≤ 10μm A-Face não dopado de tipo N GaN monokristalino de sustrato independente Resistividade 0,1 Ω·cm Dispositivo de potência/Laser W

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