Sabes distinguir a frente e a parte de trás das wafers de GaN?
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Wafer GaN
GaN Substrato
Molde de GaN
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GaN dopado com magnésio tipo P de 4 polegadas em bolacha de safira SSP resistividade ~ 10Ω cm LED laser PIN bolacha epitaxial
contacto -
laser MG-lubrificado 4-Inch PIN Epitaxial Wafer do diodo emissor de luz de GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm
contacto -
Substrato monocristal de GaN monocristal do tipo SI dopado com face C de 2 polegadas Resistividade > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF
contacto -
Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED
contacto -
Wafer epitaxial de GaN essencial para a produção de chips de alta tensão e alta frequência
contacto
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